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  • SKJ-50晶体发展炉是用提拉法发展高质量氧化物单晶及金属单晶,如蓝宝石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等,Z大可长出晶体尺寸达3“ 。

    更新日期:2016-04-12
    型号:SKJ-50
    厂商性质:生产厂家
  • SKJ-M50-16金属晶体发展炉是用坩埚着落法发展金属晶体的设备,可在真空、大气、惰性气体或其他保障氛围下、在可控的局部压力状态下运行。遵循金属的属性,本机可选拔中频感觉加热电源,以及石墨电阻加热两种加热方式;选拔欧陆微治理器与热电偶闭环控制炉温,使结晶体遵从一定的直径进行控制。

    更新日期:2016-04-12
    型号:SKJ-M50-16
    厂商性质:生产厂家
  • 2100℃高温钨加热炉HVF-2100W-60适用于高真空状态下对金属、非金属及其化合物进行烧结、熔化,如硬质合金、镍基合金、粉末冶金、镍钴合金、合金钢、不锈钢、稀土钕铁錋等。

    更新日期:2016-04-12
    型号:HVF-2100W-60
    厂商性质:生产厂家
  • VTF-1600X-TSSG顶部籽晶法晶体生长炉可运用助溶剂法生长各式质料单晶。箱式炉采用氧化铝纤维当作炉膛质料,以MoSi2为加热元件,其腔体尺寸为φ330mm×250mm,高温度可达1700℃。30段可编程精密温度控制器,可依据分别的客户需求设定升降温步骤,控温精度可达±1℃,配备精密旋转提拉机构可用于顶部籽晶助溶剂法生长各式晶体质料,提拉速度和旋转速度可依据客户需求进行定制。

    更新日期:2019-05-20
    型号:
    厂商性质:生产厂家
  • SP-MSM-4CZ四电弧提拉法单晶发展炉是一款采取四电弧的提拉法单晶发展炉,其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体,真空度可达10-5Torr.此款单晶炉适合发展高熔点的单晶,如Ti单晶,YSZ,SiC、CeRh2Si等等。

    更新日期:2019-05-20
    型号:
    厂商性质:生产厂家
  • SKJ-BG1650布里奇曼单晶生长炉是一款高质量的布里奇曼单晶生长炉,高温度可达1650℃。此款设备可生长出百般金属单晶,而今本公司用此款设备生长出Cu,Ag,Au,Fe、Mg等单晶,其直径可达37mm。电动坩埚安顿系统,便利与放样和取样。SKJ-BG1650布里奇曼单晶生长炉适合于生长百般金属,氧化物等晶体,和算作多晶棒定向凝固运用。

    更新日期:2018-12-06
    型号:
    厂商性质:生产厂家
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